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為了觀察燒結成品晶粒生長情況，氣孔率，致密性等，分析元素的摻雜等對成品性能的影響，對制得的ZnO陶瓷成品斷口進行觀測。樣品1與樣品2相比較小且大小不等、雜亂無章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈現多樣性生長趨勢。(3)ZnO主晶相之間存在較多存在孔洞、縫隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸為10

～15um，且小尺寸晶粒數量大量減少，尺寸生長比較均勻；(2)晶粒形貌大多呈現正多邊形或圓形生長趨勢、晶粒生長堆積緊密；總之，摻雜TiO2的樣品與未摻雜TiO2的樣品相比從顯微結構上看晶粒形貌規整，結構均勻、致密，晶粒較大。樣品3.ZnO主晶相之問存在較多存在孔洞、縫隙；圖晶界出現了大量液相熔融，且晶界較寬，而且晶粒邊緣有尖晶石相存在使晶粒長大受限；相比較樣品2.晶粒尺寸又變的不均勻，出現極大和極小顆粒。總之，隨著TiO2的加入ZnO壓敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量過多時，ZnO壓敏陶瓷的電性能開始惡化。TiO2的摻雜會使氧化鋅壓敏陶瓷的平均晶粒明顯增大，但摻雜量過多時會產生大量Zn2Ti04尖晶石相阻礙晶粒進一步長大。

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預擊穿區：是指在此區域內，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導電屬于熱激發電子電導機理。因此，壓敏電阻器相當于一個10MΩ以上的絕緣電阻，這時通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級，可看作為開路。該區域是電路正常運行時壓敏電阻器所處的狀態。

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